Messergebnisse PL / µPL
Mit der Messapparatur der PL/µ-PL ist es möglich Einzelspektren und Mappings von Spektren von Halbleiterstrukturen, die mittels Laserlicht angeregt werden, aufzunehmen. Wenn die Energie der anregenden Photonen größer als der Bandabstand der Halbleiter-Materialien ist, können sie Elektron-Loch-Paare generieren, die nach endlicher Zeit wieder rekombinieren. Dies kann strahlend (aussenden von Photonen/Licht) oder nicht-strahlend (Phononen/Wärme) erfolgen. Da Halbleiter (HL) sich bei verschiedenen Temperaturen oder Anregungsdichten anders verhalten ist es sinnvoll diese auch zu variieren, um Abhängigkeiten zu untersuchen.
Punktspektren eines ZnO-Substrates. Die PL-Intensitätsmessungen zeigen eine gute Homogenität der Probe.
Anregungsdiche-Abhängigkeit einer GaN-Probe.
µPL-Untersuchung von GaN-Diodenstrukturen
Das Intensitäts mapping zeigt die über die ausgewählten Kanäle (Wellenlängenfenster) integrierte Photolumineszenzintensität als Funktion des Ortes im untersuchten Gebiet (Realraum). Das Wellenlängenbild zeigt die Wellenlänge bei maximaler Intensität im gewählten Wellenlängenfenster als Funktion des Ortes im untersuchten Gebiet (Realraum).
Die einzelne Spekteren geben die wellenlängenabhängige Intensitätsverteilung für einzelne Punkten der untersuchten Probe oder integriert über die ganze Messfläche an.
Die Messapparatur der EL/µ-EL bietet die Möglichkeit, Halbleiterstrukturen und -bauelementen unter elektrischer Anregung zu untersuchen. Durch variieren des Anregungsstromes kann die Anregungsstromabhängigkeit von Halbleiterstrukturen untersucht werden. Ortsaufgelöste µ-EL-Mappings zeigen die Intensitäts- und Wellenlängenverteilung von emittierenden Bauelementoberflächen. Daraus lassen sich beispielsweise Stromverteilungen / Strompfade, lokale Ladungsträgertemperaturen oder Schichtdickenfluktuationen ableiten.
Stromabhängige μ-EL-Messung.
Links: Spektrum an einem Punkt einer InGaN/GaN LED
Rechts: Berechnung der Schichtdicke aus den Positionen der Fabry-Pérot-Peaks