Messergebnisse EL / µEL
Die Messapparatur der EL/µ-EL bietet die Möglichkeit, Halbleiterstrukturen und -bauelementen unter elektrischer Anregung zu untersuchen. Durch variieren des Anregungsstromes kann die Anregungsstromabhängigkeit von Halbleiterstrukturen untersucht werden. Ortsaufgelöste µ-EL-Mappings zeigen die Intensitäts- und Wellenlängenverteilung von emittierenden Bauelementoberflächen. Daraus lassen sich beispielsweise Stromverteilungen / Strompfade, lokale Ladungsträgertemperaturen oder Schichtdickenfluktuationen ableiten.
Stromabhängige μ-EL-Messung.
Links: Spektrum an einem Punkt einer InGaN/GaN LED
Rechts: Berechnung der Schichtdicke aus den Positionen der Fabry-Pérot-Peaks